去藕電容是為了滿足驅動電路電流的變化，避免耦合幹擾發揮電池的作用。
電容退耦原理
電容式退耦是解決電源噪聲問題的主要途徑。該方法可以提高瞬態電流的響應速度，降低響應速度 低功率分配係統的阻抗非常有效。
很多數據都涉及到電容退耦，但闡述的角度不同。有些來自局部電荷存儲(即 從儲能的角度來看，有些是從電源分配係統阻抗的角度來解釋的，有些數據的解釋更多 為了混亂，很多人在閱讀信息時會感到困惑，比如儲能和阻抗。事實上，這兩種方法本質上是相同的，但問題的視角是不同的。
去耦電容器在集成電路電源和地麵之間有兩個功能：一方麵是集成電路的蓄能電容器，另一方麵是設備的高頻噪聲。典型的數字電路去耦電容值為0.1μF。該電容分布蜜桃网站入口可看的典型值為5μH。0.1μF去耦電容為5μH其並行共振頻率約為7MHz也就是說，對於10，MHz以下噪聲具有良好的去耦效果，對40MHz上述噪聲幾乎無效。1μF、10μF並行共振頻率為20MHz以上，去除高頻噪聲的效果更好。每10片左右的集成電路應增加一個充放電電容器或一個蓄能電容器，可選10個μF左右。最好不要使用電解電容器。電解電容器由兩層薄膜卷起。這種卷起結構在高頻時表現為蜜桃网站入口可看。使用鉭電容器或聚碳酸酯電容器。去耦電容器的選擇不嚴格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。
退耦原理： (去耦即退耦)
大師和前輩總是告訴蜜桃视频在线视频這樣的經驗規則：在電路板的電源接入端放置1~10μF過濾低頻噪聲的電容器；在電路板上每個設備的電源和地線之間放置0.01～0.1μF過濾高頻噪聲的電容器。書店裏能得到的大部分高速公路PCB在高速數字電路設計的經典教程中，也不厭其煩地引用了地引用(俗稱外國人)Rule of Thumb）。
負載的變化會在直流電源電路中引起電源噪聲。例如，在數字電路中，當電路從一個狀態轉換為另一個狀態時，電源線上會產生大的尖峰電流，形成瞬態噪聲電壓。配置去耦電容可抑製負載變化引起的噪聲，是印刷電路板可靠性設計的常規做法。去耦電容主要是去除高頻，如RF通過電磁輻射進入信號幹擾。
事實上，芯片附近的電容器也具有儲能功能，這是第二位的。您可以將總電源視為密雲水庫。蜜桃视频在线视频大樓裏的每個家庭都需要供水。此時，水不直接來自水庫。距離太遠了。當水來的時候，蜜桃视频在线视频已經渴了。
實際水來自大樓頂部的水塔，水塔實際上是一個buffer的作用。從微觀上看，高頻設備的電流不連續，頻率很高VCC總電源有一段距離，即使距離不長，阻抗頻率高Z＝i*wL R，線路的蜜桃网站入口可看也會產生很大的影響，導致設備在需要電流時無法及時供應。而且去耦電容可以彌補這一不足。這就是為什麽很多電路板都在高頻器件中VCC小電容放置在管腳處的原因之一(vcc引腳上通常並聯一個去藕電容，使交流重量從這個電容接地。）
配置原則如下：
跨接10~1000個電源輸入端uF如果印刷電路板的位置允許，使用100個電解電容器uF上述電解電容器具有良好的抗幹擾效果。
配置0個集成電路芯片.01uF陶瓷電容器。如果印刷電路板空間小，無法安裝，每4~10個芯片可配備1~10個芯片uF鉭電解電容器的高頻阻抗特別小，在500kHz～20MHz阻抗範圍小於1Ω，而且漏電流很小(0.5uA以下）。
對於噪聲能力弱、關閉時電流變化大的設備和ROM、RAM存儲器件應在芯片的電源線上（Vcc）和地線（GND）去耦電容到去耦電容器。
去耦電容的引線不能太長，尤其是高頻旁路電容。
